2006年1月19、20日，北京市范伯元副市長、國家科技部高新司材料處及高技術(shù)中心的領(lǐng)導(dǎo)先后對總院和有研硅股共同承擔(dān)的863課題“12英寸硅單晶拋光片和外延片的研制”作現(xiàn)場檢查和指導(dǎo)。屠海令院長、張少明副院長、熊柏青副院長以及有研硅股周旗鋼總經(jīng)理等接待了來賓。
周旗鋼總經(jīng)理從試驗線工程建設(shè)、關(guān)鍵技術(shù)的突破和市場開拓三個方面進行了匯報。屠海令院長進行了補充說明。范副市長和科技部高新司領(lǐng)導(dǎo)對試驗線建設(shè)的工作和進度表示了肯定，對關(guān)鍵技術(shù)的突破和自主創(chuàng)新能力表示贊許，并對該兩項課題今后對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支撐以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的帶動作用寄以厚望。
經(jīng)過兩年的建設(shè)“12英寸硅單晶拋光片和外延片試驗線”于2005年底基本完成。該線的建設(shè)主要依托于國家科技部“十五”863重大專項“超大規(guī)模集成電路配套材料”中的課題“12英寸硅單晶拋光片的研制”和“12英寸硅單晶外延片的研制”，北京市也對其進行了重點支持。
該試驗線的建成將突破國外對我國實施的高端集成電路用材料的技術(shù)封鎖，滿足國家戰(zhàn)略需要，并將極大地促進國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完善和北方微電子產(chǎn)業(yè)基地的建設(shè)。